تبلیغات
فروشگاه اینترنتی - مقاله آشنایی با ساختمان و عملكرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور
فروشگاه اینترنتی
فروشگاه محصولات اینترنتی
صفحه نخست       پست الکترونیک          تماس با ما              ATOM            طراح قالب
گروه طراحی قالب من گروه طراحی قالب من گروه طراحی قالب من گروه طراحی قالب من گروه طراحی قالب من
درباره وبلاگ


این سایت فروشگاهی در زمینه فروش انواع محصولات اینترنتی و فایلهای همکاری در فروش
سایتهای مورد نظر فعالیت میکند

مدیر وبلاگ :مسعود رفیعی آرانی










آشنایی با ساختمان و عملكرد  نیمه هادی دیود و ترانزیستور
ترانزیستور
عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور
برق و الکترونیک
انواع نیمه هادی
ساختمان ترانزیستور
عملکرد دیود نیمه هادی


دسته بندی برق
فرمت فایل doc
حجم فایل 59 کیلو بایت
تعداد صفحات فایل 36
*مقاله آشنایی با ساختمان و عملكرد  نیمه هادی دیود و ترانزیستور*

 

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها


نیمه هادی ها عناصری هستند كه از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الكترون می‌باشد.


ژرمانیم و سیلیكون دو عنصری هستند كه خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیكی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.


ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد .


این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیكلر[1] كشف شد.


این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساك[2] و تنارد[3] كشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یك بلور سه بعدی است كه با قرار گرفتن بلورها در كنار یكدیگر ، شبكه كریستالی آنها پدید می‌آید .


اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الكترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الكترون دارد تا مدار خود را كامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراكی برقرار می‌شود.


بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراكی شكسته شده و الكترون آزاد می‌گردد. الكترون فوق و دیگر الكترون هائی كه بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الكترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.


د ر مقابل حركت الكترون ها ، حركت دیگری به نام جریان در حفره ها كه دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الكترون در پیوند بوجود می‌آید.


بر اثر شكسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الكترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حركت الكترون كه بر اثر جذب الكترون ها به سمت حفره ها به سمت الكترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حركت حفره هاست كه بر اثر جذب حفره ها به سمت الكترون ها بوجود می‌آید. در یك كریستال نیمه هادی، تعداد الكترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حركت الكترون ها و حفره ها عكس یكدیگر می‌باشند.


 


1.                      نیمه هادی نوع N وP


از آنجایی كه تعداد الكترونها و حفره های موجود  در كریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط كم است و جریان انتقالی كم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌كنند.


هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یك عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیك یا آنتیوان تزریق[4] شود، چهار الكترون مدار آخر آرسنیك با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشكیل پیوند اشتراكی داده و الكترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.


بنابرین هر اتم  آرسنیك، یك الكترون اضافی تولید می‌كند، بدون اینكه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی كه ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N[5] نام دارد.












نوع مطلب : مهندسی برق، 
برچسب ها :
لینک های مرتبط :
          
یکشنبه 20 تیر 1395
 
لبخندناراحتچشمک
نیشخندبغلسوال
قلبخجالتزبان
ماچتعجبعصبانی
عینکشیطانگریه
خندهقهقههخداحافظ
سبزقهرهورا
دستگلتفکر





آمار وبلاگ
  • کل بازدید :
  • بازدید امروز :
  • بازدید دیروز :
  • بازدید این ماه :
  • بازدید ماه قبل :
  • تعداد نویسندگان :
  • تعداد کل پست ها :
  • آخرین بازدید :
  • آخرین بروز رسانی :
امکانات جانبی